| Artikelnummer | AOWF412 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.8A (Ta), 30A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 7V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3220pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.1W (Ta), 33W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 15.8 mOhm @ 20A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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AOW10N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO262 | Einzelheiten |
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AOW10N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 10A TO262 | Einzelheiten |
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AOW10T60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A TO262 | Einzelheiten |
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AOW10T60P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 10A 5DFB | Einzelheiten |
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AOW11N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO262 | Einzelheiten |
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AOW11S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 11A TO262 | Einzelheiten |
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AOW11S65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 11A TO262 | Einzelheiten |
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AOW12N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 500V 12A TO262 | Einzelheiten |
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AOW12N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 600V 12A TO262 | Einzelheiten |
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AOW12N65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 650V 12A TO262 | Einzelheiten |
