| Artikelnummer | FDMQ86530L |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 17.5 mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2295pF @ 30V |
| Leistung max | 1.9W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 12-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 12-MLP (5x4.5) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
FDMQ8203 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP | Einzelheiten |
|
FDMQ8205 | Fairchild/ON Semiconductor | IC OR CTRLR BRIDGE RECT 12MLP | Einzelheiten |
 |
FDMQ8205A | Fairchild/ON Semiconductor | GREENBRIDGETM 2 SERIES OF HIGH-E | Einzelheiten |
|
FDMQ8403 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP | Einzelheiten |
|
FDMQ86530L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5 | Einzelheiten |
