IFS100B12N3E4_B39

IFS100B12N3E4_B39 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IFS100B12N3E4_B39
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT IFS100B12N3E4B39BOSA1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
IFS100B12N3E4_B39 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
782 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern IFS100B12N3E4_B39

IFS100B12N3E4_B39 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IFS100B12N3E4_B39
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100A
Leistung max 515W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.3nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR IFS100B12N3E4_B39