IGW75N65H5XKSA1

IGW75N65H5XKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IGW75N65H5XKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT 650V TO247-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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IGW75N65H5XKSA1.pdf
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
607 pcs
Referenzpreis
USD 4.61/pcs
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IGW75N65H5XKSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IGW75N65H5XKSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 120A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 300A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Leistung max 395W
Energie wechseln 2.25mJ (on), 950µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 160nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 28ns/174ns
Testbedingung 400V, 75A, 8 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket PG-TO247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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