| Artikelnummer | IPB030N08N3 G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 160A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 155µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8110pF @ 40V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 214W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 100A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-7 |
| Paket / Fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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IPB030N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB030N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 | Einzelheiten |
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IPB031N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | Einzelheiten |
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IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 | Einzelheiten |
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IPB032N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | Einzelheiten |
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IPB033N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2PAK-3 | Einzelheiten |
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IPB034N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3 | Einzelheiten |
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IPB034N03LG | I | IPB034N03LG I TO263 New Original Stocks | Einzelheiten |
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IPB034N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3 | Einzelheiten |
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IPB034N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | Einzelheiten |
