IPI03N03LA detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
IPI03N03LA |
Teilstatus |
Obsolete |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
25V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 100µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
57nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
7027pF @ 15V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
150W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
3 mOhm @ 55A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Lieferantengerätepaket |
PG-TO262-3 |
Paket / Fall |
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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