IPI03N03LA

IPI03N03LA - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPI03N03LA
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
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Datumscode
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Bestandsmenge
4262 pcs
Referenzpreis
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IPI03N03LA detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPI03N03LA
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7027pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 150W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 55A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO262-3
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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