IPI50CN10NGHKSA1

IPI50CN10NGHKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPI50CN10NGHKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
3687 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IPI50CN10NGHKSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPI50CN10NGHKSA1
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 20µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1090pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 44W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 20A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO262-3
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht -
Ursprungsland -

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