IPW65R150CFDAFKSA1

IPW65R150CFDAFKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPW65R150CFDAFKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
5989 pcs
Referenzpreis
USD 4.2973/pcs
Unser Preis
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IPW65R150CFDAFKSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPW65R150CFDAFKSA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 22.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 900µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2340pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 195.3W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 9.3A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO247-3
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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