| Artikelnummer | IRF5850TRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.2A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 15V |
| Leistung max | 960mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IRF500 | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | Einzelheiten |
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IRF500C10RJ | EXSHINE | 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED | Einzelheiten |
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IRF510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Einzelheiten |
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IRF510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | Einzelheiten |
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IRF510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | Einzelheiten |
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IRF510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
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IRF510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
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IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
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IRF510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
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IRF510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | Einzelheiten |
