| Artikelnummer | IRFHM8363TRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 14.9 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1165pF @ 10V |
| Leistung max | 2.7W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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IRFHM3911TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A PQFN | Einzelheiten |
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IRFHM4231TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 40A PQFN | Einzelheiten |
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IRFHM4234TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 20A PQFN | Einzelheiten |
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IRFHM7194TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.3A | Einzelheiten |
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IRFHM792TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN | Einzelheiten |
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IRFHM8228TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN | Einzelheiten |
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IRFHM830DTR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN | Einzelheiten |
