| Artikelnummer | JANTX1N4983CUS |
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| Teilstatus | Active |
| Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 110V |
| Toleranz | ±2% |
| Leistung max | 5W |
| Impedanz (Max) (Zzt) | 125 Ohms |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 2µA @ 83.6V |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 1A |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | E-MELF |
| Lieferantengerätepaket | D-5B |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Einzelheiten |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Einzelheiten |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Einzelheiten |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Einzelheiten |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Einzelheiten |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Einzelheiten |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Einzelheiten |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Einzelheiten |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Einzelheiten |
