| Artikelnummer | JANTX2N4416AUB |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Spannungsabfall (V (BR) GSS) | 35V |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 35V |
| Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 15mA @ 15V |
| Stromabfluss (Id) - Max | - |
| Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 6V @ 1nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 15V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung max | 300mW |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, No Lead |
| Lieferantengerätepaket | 4-SMD |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Einzelheiten |
 |
JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Einzelheiten |
|
JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Einzelheiten |
|
JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Einzelheiten |
|
JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Einzelheiten |
 |
JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Einzelheiten |
 |
JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Einzelheiten |
 |
JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Einzelheiten |
|
JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Einzelheiten |
 |
JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Einzelheiten |
