FDN338P_G

FDN338P_G - ON Semiconductor

Artikelnummer
FDN338P_G
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
INTEGRATED CIRCUIT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
28120 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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FDN338P_G detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FDN338P_G
Teilstatus Obsolete
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 115 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 451pF @ 10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 500mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SuperSOT-3
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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