| Artikelnummer | TPMR6J S1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 6A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 6A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 40ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
| Kapazität @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-277, 3-PowerDFN |
| Lieferantengerätepaket | TO-277A (SMPC) |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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TPMR10D S1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 10A TO277A | Einzelheiten |
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TPMR10G S1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 10A TO277A | Einzelheiten |
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TPMR10J S1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 10A TO277A | Einzelheiten |
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TPMR6G S1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 6A TO277A | Einzelheiten |
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TPMR6J S1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A | Einzelheiten |
