| Artikelnummer | VS-GB90DA120U |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | NPT |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 149A |
| Leistung max | 862W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 3.8V @ 15V, 75A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 250µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | - |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Lieferantengerätepaket | SOT-227 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
|
VS-GB05XP120KTPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE MTP SWITCH | Einzelheiten |
|
VS-GB100DA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-227 | Einzelheiten |
|
VS-GB100LH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-GB100LP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-GB100NH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-GB100TH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-GB100TH120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-GB100TP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-GB100TP120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK | Einzelheiten |
|
VS-GB100TS60NPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK | Einzelheiten |
