VS-GP300TD60S

VS-GP300TD60S - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-GP300TD60S
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
IGBT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
185 pcs
Referenzpreis
USD 138.0475/pcs
Unser Preis
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VS-GP300TD60S detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-GP300TD60S
Teilstatus Active
IGBT-Typ PT, Trench
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 580A
Leistung max 1136W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.45V @ 15V, 300A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 150µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce -
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Dual INT-A-PAK (3 + 8)
Lieferantengerätepaket Dual INT-A-PAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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