GDP30S120B Descripción detallada
| Número de pieza |
GDP30S120B |
| Estado de la pieza |
Obsolete |
| Tipo de diodo |
Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) |
1200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) |
30A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si |
1.7V @ 30A |
| Velocidad |
No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) |
0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr |
100µA @ 1200V |
| Capacitancia @ Vr, F |
1790pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo de montaje |
Through Hole |
| Paquete / caja |
TO-247-2 |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-247-2 |
| Temperatura de funcionamiento - unión |
-55°C ~ 135°C |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
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