BSP603S2LHUMA1

BSP603S2LHUMA1 - Infineon Technologies

Número de pieza
BSP603S2LHUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
4318 pcs
Precio de referencia
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BSP603S2LHUMA1 Descripción detallada

Número de pieza BSP603S2LHUMA1
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5.2A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 50µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1390pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 2.6A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-SOT223-4
Paquete / caja TO-261-4, TO-261AA
Peso -
País de origen -

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