DG2012EDL-T1-GE3 Descripción detallada
| Número de pieza |
DG2012EDL-T1-GE3 |
| Estado de la pieza |
Active |
| Circuito de conmutación |
SPDT |
| Circuito multiplexor / demultiplexor |
2:1 |
| Cantidad de circuitos |
1 |
| Resistencia en estado (Máx) |
1.6 Ohm |
| Coincidencia de canal a canal (& Delta; Ron) |
300 mOhm |
| Voltaje: suministro, individual (V +) |
1.65V ~ 5.5V |
| Voltaje - Suministro, Dual (V ±) |
- |
| Tiempo de cambio (Ton, Toff) (Max) |
32ns, 28ns |
| Ancho de banda de -3db |
160MHz |
| Inyección de carga |
8pC |
| Capacitancia de canal (CS (apagado), CD (apagado)) |
16pF |
| Current - Leakage (IS (off)) (Max) |
5nA |
| Diafonía |
-63dB @ 1MHz |
| Temperatura de funcionamiento |
-40°C ~ 85°C |
| Paquete / caja |
6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
SC-70-6 |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
PRODUCTOS RELACIONADOS PARA DG2012EDL-T1-GE3
