DG2032EDN-T1-GE4 Descripción detallada
| Número de pieza |
DG2032EDN-T1-GE4 |
| Estado de la pieza |
Active |
| Circuito de conmutación |
SPDT |
| Circuito multiplexor / demultiplexor |
2:1 |
| Cantidad de circuitos |
2 |
| Resistencia en estado (Máx) |
3.1 Ohm |
| Coincidencia de canal a canal (& Delta; Ron) |
10 mOhm |
| Voltaje: suministro, individual (V +) |
1.8 V ~ 5.5 V |
| Voltaje - Suministro, Dual (V ±) |
- |
| Tiempo de cambio (Ton, Toff) (Max) |
40ns, 33ns |
| Ancho de banda de -3db |
221MHz |
| Inyección de carga |
-19.4pC |
| Capacitancia de canal (CS (apagado), CD (apagado)) |
- |
| Current - Leakage (IS (off)) (Max) |
- |
| Diafonía |
-62dB @ 1MHz |
| Temperatura de funcionamiento |
-40°C ~ 85°C (TA) |
| Paquete / caja |
- |
| Paquete de dispositivo del proveedor |
- |
| Peso |
- |
| País de origen |
- |
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