1EDI30J12CPXUMA1

1EDI30J12CPXUMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
1EDI30J12CPXUMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IC JFET DVR SGL 1200V 4A DSO19
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
1EDI30J12CPXUMA1.pdf
Catégorie
Durée de conservation
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1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
9739 pcs
Prix ​​de référence
USD 2.7147/pcs
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1EDI30J12CPXUMA1 Description détaillée

Numéro d'article 1EDI30J12CPXUMA1
État de la pièce Active
Configuration pilotée Half-Bridge
Type de canal Synchronous
Nombre de pilotes 2
Type de porte P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 4.75 V ~ 17.5 V
Tension logique - VIL, VIH 1V, 2V
Courant - sortie de crête (source, évier) 4A, 4A
Type d'entrée Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 1200V
Rise / Fall Time (Typ) 23ns, 22ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 19 Leads
Package de périphérique fournisseur PG-DSO-19-4
Poids -
Pays d'origine -

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