BSM35GD120DN2

BSM35GD120DN2 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSM35GD120DN2
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
IGBT BSM35GD120DN2BOSA1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - IGBT - Modules
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
750 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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BSM35GD120DN2 Description détaillée

Numéro d'article BSM35GD120DN2
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT NPT
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50A
Puissance - Max 280W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 35A
Courant - Coupure du collecteur (Max) -
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module
Poids -
Pays d'origine -

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