BSO303PNTMA1

BSO303PNTMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSO303PNTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BSO303PNTMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
BSO303PNTMA1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
4179 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour BSO303PNTMA1

BSO303PNTMA1 Description détaillée

Numéro d'article BSO303PNTMA1
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 72.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1761pF @ 25V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur P-DSO-8
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR BSO303PNTMA1