BSZ15DC02KDHXTMA1

BSZ15DC02KDHXTMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSZ15DC02KDHXTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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BSZ15DC02KDHXTMA1.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
57746 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.4389/pcs
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BSZ15DC02KDHXTMA1 Description détaillée

Numéro d'article BSZ15DC02KDHXTMA1
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel Complementary
FET Caractéristique Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 5.1A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 110µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 419pF @ 10V
Puissance - Max 2.5W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur PG-TSDSON-8-FL
Poids -
Pays d'origine -

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