IR2011STRPBF

IR2011STRPBF - Infineon Technologies

Numéro d'article
IR2011STRPBF
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HI/LO SIDE DRVR 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Durée de conservation
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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21312 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.2177/pcs
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IR2011STRPBF Description détaillée

Numéro d'article IR2011STRPBF
État de la pièce Active
Configuration pilotée Half-Bridge
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte N-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 10 V ~ 20 V
Tension logique - VIL, VIH 0.7V, 2.2V
Courant - sortie de crête (source, évier) 1A, 1A
Type d'entrée Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) 200V
Rise / Fall Time (Typ) 35ns, 20ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC
Poids -
Pays d'origine -

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