IRFHM792TR2PBF

IRFHM792TR2PBF - Infineon Technologies

Numéro d'article
IRFHM792TR2PBF
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
Code de date
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3587 pcs
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IRFHM792TR2PBF Description détaillée

Numéro d'article IRFHM792TR2PBF
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 10µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.3nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 251pF @ 25V
Puissance - Max 2.3W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Package de périphérique fournisseur 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Poids -
Pays d'origine -

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