IXDF602D2TR

IXDF602D2TR - IXYS Integrated Circuits Division

Numéro d'article
IXDF602D2TR
Fabricant
IXYS Integrated Circuits Division
Brève description
2A MOSFET 8 DFN DUAL INV/NON-INV
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
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1 Day
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New
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Prix ​​de référence
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IXDF602D2TR Description détaillée

Numéro d'article IXDF602D2TR
État de la pièce Active
Configuration pilotée Low-Side
Type de canal Independent
Nombre de pilotes 2
Type de porte IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Tension - Alimentation 4.5 V ~ 35 V
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 3V
Courant - sortie de crête (source, évier) 2A, 2A
Type d'entrée Inverting, Non-Inverting
Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) -
Rise / Fall Time (Typ) 7.5ns, 6.5ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-VDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 8-DFN-EP (5x4)
Poids -
Pays d'origine -

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