JANSR2N5153U3

JANSR2N5153U3 - Microsemi Corporation

Numéro d'article
JANSR2N5153U3
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
RH POWER BJT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
952 pcs
Prix ​​de référence
USD 172.76/pcs
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JANSR2N5153U3 Description détaillée

Numéro d'article JANSR2N5153U3
État de la pièce Active
Type de transistor PNP
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 2A
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 500mA, 5A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 2.5A, 5V
Puissance - Max -
Fréquence - Transition -
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 3-SMD, No Lead
Package de périphérique fournisseur U3
Poids -
Pays d'origine -

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