EMA6DXV5T5G

EMA6DXV5T5G - ON Semiconductor

Numéro d'article
EMA6DXV5T5G
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
TRANS 2PNP PREBIAS 0.23W SOT553
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
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1 Day
Code de date
New
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4426 pcs
Prix ​​de référence
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EMA6DXV5T5G Description détaillée

Numéro d'article EMA6DXV5T5G
État de la pièce Obsolete
Type de transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 47k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) -
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 230mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-553
Package de périphérique fournisseur SOT-553
Poids -
Pays d'origine -

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