| Numéro d'article | NCD5702DR2G |
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| État de la pièce | Active |
| Configuration pilotée | Half-Bridge |
| Type de canal | Independent |
| Nombre de pilotes | 1 |
| Type de porte | IGBT |
| Tension - Alimentation | 5.5V |
| Tension logique - VIL, VIH | 0.75V, 4.3V |
| Courant - sortie de crête (source, évier) | 7.8A, 6.8A |
| Type d'entrée | Inverting |
| Tension latérale élevée - Max (Bootstrap) | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 9.2ns, 7.9ns |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Package de périphérique fournisseur | 16-SOIC |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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NCD57000DWR2G | ON Semiconductor | GALVANIC ISOLATED HIGH CU | Détails |
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NCD5700DR2G | ON Semiconductor | HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER | Détails |
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