SCT3030ALGC11

SCT3030ALGC11 - Rohm Semiconductor

Numéro d'article
SCT3030ALGC11
Fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
MOSFET NCH 650V 70A TO247N
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
6332 pcs
Prix ​​de référence
USD 24.72/pcs
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SCT3030ALGC11 Description détaillée

Numéro d'article SCT3030ALGC11
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 70A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.6V @ 13.3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 104nC @ 18V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1526pF @ 500V
Vgs (Max) +22V, -4V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 262W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 27A, 18V
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247N
Paquet / cas TO-247-3
Poids -
Pays d'origine -

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