S1KL R3G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article	S1KL R3G
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	800V
Courant - Rectifié moyen (Io)	1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.1V @ 1A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	1.8µs
Courant - Fuite inverse @ Vr	5µA @ 800V
Capacitance @ Vr, F	9pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-219AB
Package de périphérique fournisseur	Sub SMA
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
S1K	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 800V 1A SMA	Détails
S1K M2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC	Détails
S1K R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC	Détails
S1K-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 800V 1A SMA	Détails
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S1K-E3/5AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC	Détails
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S1K-F	SMC Diode Solutions	SMT GLASS PASSIVATED RECTIFIER	Détails
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