S3MBHR5G - Taiwan Semiconductor Corporation

Numéro d'article	S3MBHR5G
État de la pièce	Active
Type de diode	Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V
Courant - Rectifié moyen (Io)	3A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.15V @ 3A
La vitesse	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	1.5µs
Courant - Fuite inverse @ Vr	10µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F	40pF @ 4V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-214AA, SMB
Package de périphérique fournisseur	DO-214AA (SMB)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
S3M	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC	Détails
S3M M6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 3A DO214AB	Détails
S3M R7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB	Détails
S3M V6G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 3A DO214AB	Détails
S3M V7G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB	Détails
S3M-13	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC	Détails
S3M-13-F	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 1KV 3A SMC	Détails
S3M-E3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB	Détails
S3M-E3/9AT	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB	Détails
S3M-M3/57T	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GPP 3A 1000V DO-214AB	Détails