| Numéro d'article | TPMR6G S1G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 6A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.2V @ 6A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 400V |
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | TO-277, 3-PowerDFN |
| Package de périphérique fournisseur | TO-277A (SMPC) |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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TPMR10D S1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 10A TO277A | Détails |
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TPMR10G S1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 10A TO277A | Détails |
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TPMR10J S1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 10A TO277A | Détails |
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TPMR6G S1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 6A TO277A | Détails |
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TPMR6J S1G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A | Détails |
