| Numéro d'article | BYG10D-M3/TR3 |
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| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Avalanche |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 1.5A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.15V @ 1.5A |
| La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 4µs |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 200V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | DO-214AC, SMA |
| Package de périphérique fournisseur | DO-214AC (SMA) |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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BYG10 | VISHAY | Silicon Mesa SMD Rectifier | Détails |
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BYG10D | VISHAY | Silicon Mesa SMD Rectifier | Détails |
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BYG10D-E3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | Détails |
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BYG10DHE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA | Détails |
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