| Numero di parte | BBY6602VH6327XTSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Capacità @ Vr, F | 13.5pF @ 4.5V, 1MHz |
| Rapporto di capacità | 5.41 |
| Condizione del rapporto di capacità | C1/C4.5 |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 12V |
| Tipo diodo | Single |
| Q @ Vr, F | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SC79-2 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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BBY6602VH6327XTSA1 | Infineon Technologies | DIODE TUNING 12V 50MA SC79 | Dettagli |
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BBY6605WE6327HTSA1 | Infineon Technologies | DIODE TUNING HIGH Q CC SOT-323 | Dettagli |
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BBY6605WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | DIODE TUNING 12V 50MA SOT323 | Dettagli |
