| Numero di parte | APT2012PD1C |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| lunghezza d'onda | 940nm |
| Colore: migliorato | Infrared (NIR) |
| Gamma spettrale | 420nm ~ 1120nm |
| Tipo diodo | - |
| Responsività @ nm | - |
| Tempo di risposta | 6ns |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 170V |
| Corrente - Scura (tipica) | 10nA (Max) |
| Area attiva | - |
| Angolo di visione | 160° |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 2-SMD, No Lead |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W TO247 | Dettagli |
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APT200GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dettagli |
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APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dettagli |
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APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dettagli |
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APT200GN60JG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | Dettagli |
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APT200GT60JR | Microsemi Corporation | IGBT 600V 195A ISOTOP | Dettagli |
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