| Numero di parte | 2N3822 |
|---|---|
| Stato parte | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 50V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 10mA @ 15V |
| Scarico corrente (Id) - max | - |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 6V @ 500pA |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6pF @ 15V |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | 300mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-72 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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2N0303 | INFINEON | 2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks | Dettagli |
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2N03L10 | INFINEON | 2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks | Dettagli |
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2N1008 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
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2N1008A | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
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2N1008B | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
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2N1011 | EXSHINE | germanium transistors | Dettagli |
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2N1016B | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Dettagli |
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2N1016C | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Dettagli |
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2N1016D | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | Dettagli |
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2N1057 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
