| Numero di parte | JAN1N6320US/TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
| Tolleranza | ±5% |
| Potenza - Max | 500mW |
| Impedenza (Max) (Zzt) | 3 Ohms |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 4V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 1A |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SQ-MELF, B |
| Pacchetto dispositivo fornitore | B, SQ-MELF |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Dettagli |
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JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | Dettagli |
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JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | Dettagli |
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JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | Dettagli |
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JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Dettagli |
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JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | Dettagli |
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JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | Dettagli |
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JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Dettagli |
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JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Dettagli |
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JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Dettagli |
