MV2N5116 Descrizione dettagliata
Numero di parte |
MV2N5116 |
Stato parte |
Active |
Tipo FET |
P-Channel |
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) |
30V |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
30V |
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) |
25mA @ 15V |
Scarico corrente (Id) - max |
- |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id |
6V @ 1nA |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
27pF @ 15V |
Resistenza - RDS (On) |
100 Ohm |
Potenza - Max |
500mW |
temperatura di esercizio |
-65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Through Hole |
Pacchetto / caso |
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore |
TO-18 (TO-206AA) |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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