| Numero di parte | STP160N4LF6 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 181nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8130pF @ 20V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 60A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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STP100N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 100V 80A TO-220 | Dettagli |
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STP10N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V TO-220 | Dettagli |
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STP10N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220 | Dettagli |
