SSM6N815R,LF

SSM6N815R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
SSM6N815R,LF
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1095112 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.15035/pcs
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SSM6N815R,LF Descrizione dettagliata

Numero di parte SSM6N815R,LF
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate, 4V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 103 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.1nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 15V
Potenza - Max 1.8W (Ta)
temperatura di esercizio 150°C
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP-F
Peso -
Paese d'origine -

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