| 品番 | GSID600A120S4B1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | - |
| 構成 | Half Bridge |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 1200V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 1130A |
| 電力 - 最大 | 3060W |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 2.1V @ 15V, 600A |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 1mA |
| 入力容量（Cies）@ Vce | 51nF @ 25V |
| 入力 | Standard |
| NTCサーミスタ | Yes |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | Module |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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GSID600A120S4B1 | Global Power Technologies Group | SILICON IGBT MODULES | 詳細 |
