BSM200GB120DN2HOSA1

BSM200GB120DN2HOSA1 - Infineon Technologies

品番
BSM200GB120DN2HOSA1
メーカー
Infineon Technologies
簡単な説明
IGBT 2 MED POWER 62MM-1
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
875 pcs
参考価格
USD 187.673/pcs
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BSM200GB120DN2HOSA1 詳細な説明

品番 BSM200GB120DN2HOSA1
部品ステータス Not For New Designs
IGBTタイプ -
構成 Half Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 290A
電力 - 最大 1400W
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 3V @ 15V, 200A
電流 - コレクタ遮断(最大) 4mA
入力容量(Cies)@ Vce 13nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ Module
重量 -
原産国 -

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