IPB065N15N3GE8187ATMA1 詳細な説明
| 品番 |
IPB065N15N3GE8187ATMA1 |
| 部品ステータス |
Obsolete |
| FETタイプ |
N-Channel |
| 技術 |
MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） |
150V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） |
130A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） |
8V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id |
4V @ 270µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs |
93nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds |
7300pF @ 75V |
| Vgs（最大） |
±20V |
| FET機能 |
- |
| 消費電力（最大） |
300W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs |
6.5 mOhm @ 100A, 10V |
| 動作温度 |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ |
Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ |
PG-TO263-7 |
| パッケージ/ケース |
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| 重量 |
- |
| 原産国 |
- |
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