| 品番 | IPI029N06NAKSA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24A (Ta), 100A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 6V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.8V @ 75µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 56nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4100pF @ 30V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 3W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2.9 mOhm @ 100A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3 |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IPI020N06NAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 29A TO262-3 | 詳細 |
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IPI023NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3 | 詳細 |
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IPI024N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 | 詳細 |
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IPI024N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A | 詳細 |
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IPI028N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3 | 詳細 |
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IPI029N06NAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3 | 詳細 |
