| 品番 | IPI072N10N3GXK |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 7.2 mOhm @ 80A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 90µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 68nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4910pF @ 50V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 150W (Tc) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO262-3 |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IPI072N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 | 詳細 |
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IPI075N15N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3 | 詳細 |
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IPI076N15N5AKSA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | 詳細 |
