| 品番 | IXDI609SIA |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| 駆動構成 | Low-Side |
| チャネルタイプ | Single |
| ドライバ数 | 1 |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 電圧 - 供給 | 4.5 V ~ 35 V |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 3V |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 9A, 9A |
| 入力方式 | Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | - |
| 立ち上がり/立ち下がり時間（Typ） | 22ns, 15ns |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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