FQT1N80TF-WS - ON Semiconductor

品番	FQT1N80TF-WS
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	800V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	200mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	20 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	7.2nC @ 10V
Vgs（最大）	±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	195pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.1W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	SOT-223-3
パッケージ/ケース	TO-261-3
重量	-
原産国	-

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