| 品番 | NCP81075DR2G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| 駆動構成 | High-Side or Low-Side |
| チャネルタイプ | Independent |
| ドライバ数 | 2 |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET |
| 電圧 - 供給 | 8.5V ~ 20V |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.8V, 2.7V |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 4A, 4A |
| 入力方式 | Non-Inverting |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 200V |
| 立ち上がり/立ち下がり時間（Typ） | 8ns, 7ns |
| 動作温度 | -40°C ~ 140°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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